ST Life.augmented
sense_power

Nチャネル(12V~40V)

PowerFLAT 5x6パッケージに収容された、ブレークダウン電圧範囲が12 V~40 VであるSTのMOSFETは、極めて低いゲート・チャージと最小1.3 mΩ(30 V)の低いオン抵抗を提供しています。これらは、POL、VRM、マザーボード、ノートPC、携帯型および超携帯型電気機器、リニア・レギュレータ、同期整流、および車載アプリケーションに対する広範な要件を満たすように最適化されています。

この電圧定格でのMOSFETの特徴は、以下のとおりです。

  • 極めて低いRDS(on)
  • コンパクト設計用のSMD PowerFLATパッケージやハイ・パワー設計用のH2PAKパッケージなど、さまざまなパッケージの範囲
  • 標準、ロジック、およびスーパー・ロジック・レベルの閾値
  • 温度センス、電流センス、ESD保護、またはドレイン・ソース・ブレークダウン・クランプのうち1つの機能を追加したSAFeFET (Simple Added Features FET) MOSFET

これらのMOSFETは、小型およびハイ・パワー・パッケージ(DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220、およびPowerFLAT(2x2、3.3x3.3、5x6、5x6ダブル・アイランド、5x6非対称ダブル・アイランド、5x6共通ドレイン))で提供されます。

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