ST Life.augmented
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Nチャネル(40V~150V)

ST’独自のSTripFET™ II、III、 V、およびSTripFET VI DeepGATE技術は、この範囲のブレークダウン電圧に最適化されています。 
これらのデバイスは、  最大480Aのドレイン電流範囲、最小22mΩのオン抵抗、高いアバランシェ耐性、およびオプションのロジック・レベル駆動を備えており、D2PAK、H2PAK2、I2PAK、ISOTOP、P2PAK、POLARPAK、PowerSo 10、SO8、SOT 223、TO 220、TO 247、TO 252、TO 92、VFDFPN8という広範なパッケージで提供されます。

これらのデバイスは、オートモーティブ・スイッチング、DC-DCコンバータ、携帯型製品の電源管理用高効率スイッチングなどのアプリケーションに最適化されています。

80 Vおよび100 V STripFET VII DeepGATE MOSFET

80 Vおよび100 V STripFET VII DeepGATE MOSFET
高度なトレンチゲート構造は、STが提供する80Vおよび100VのSTripFET VII DeepGATE MOSFETシリーズに、内部容量とゲート電荷の低減とともに業界最小のオン抵抗を実現し、より高速でより効率的なスイッチングを可能にしています。このMOSFETが持つ優れた性能指数(FoM)と高度なアバランシェ耐性は、通信システムやコンピューティング・システム、太陽光インバータ、産業オートメーション、車載機器などのアプリケーションで、信頼性向上を図りながら設計を簡素化し、サイズとコストを低減するうえで効果的です。

AEC-Q101-qualified 100 V STripFET™ F7 MOSFETs

ST’s high performance series of STripFET F7 MOSFETs has been extended with the introduction of four 100 V automotive-grade devices featuring the industry’s lowest on-state resistance (2.3 mOhm in H2PAK 2 and 6 leads, 2.7 mOhm in the TO-220AB) for increased system efficiency. Addressing DC-DC, DC-AC, resonant LC converters and synchronous rectification in high-performance, high-current automotive applications, these AEC-Q101-qualified MOSFETs also feature an optimized internal capacitance profile which eliminates the need for external filtering circuitry, reducing the overall design cost and size.
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