ST Life.augmented
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Nチャネル(650V~)

TO-247 8x8 HVパッケージに収容された、ブレークダウン電圧が650 Vを超えるSTのMOSFETは、低いゲート・チャージと最小0.690 Ω(1200 V)の低いオン抵抗を提供しています。これらは、SMPS、PVインバータ、3相給電、およびモータ制御アプリケーションの広範な要件を満たすように最適化されています。利用可能な規定電圧は700V、800V、850V、900V、950V、1000V、1200V、1500Vなどです。

この電圧定格でのMOSFETの特徴は、以下のとおりです。

  • 優れたスイッチング動作
  • 1500Vのアバランシェ定格デバイス
  • 完全に絶縁された産業用高沿面TO-3PF

これらのMOSFETは、DPAK、IPAK、D2PAK、I2PAK、H2PAK、ISOTOP、PowerFLAT 5x6 VHV、TO-220、SOT-223、TO-247、TO-3PFなど、放熱効率が高い業界標準のさまざまな小型パッケージで提供されます。

最小FOMの高電圧SuperMESH 5 MOSFET

STのSuperMESH 5 MOSFETは、最大ピーク耐圧が950Vである業界初のスーパージャンクションMOSFETです。そのポートフォリオには800V、850V、および900Vのデバイスも含まれており、クラス最高の性能指数を提供します。そのため、設計者はエコ設計基準による電力と効率のさらに厳しい目標を達成し、太陽光マイクロ発電機や電気自動車用充電ステーションなどのグリーン・エネルギー・アプリケーションをターゲットとすることができます。

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