高電圧および低電圧アプリケーション向けの最先端パワー･テクノロジーは、あらゆる種類のパッケージおよび革新的なダイ･ボンディング技術と合わせて、パワー･トランジスタにおけるSTの革新性を示しています。 STのポートフォリオには、-500～1500VのMOSFET、高温でも面積当たりのオン抵抗が低いシリコン･カーバイド（SiC）MOSFET、ブレークダウン電圧範囲が350～1300VのIGBT、および幅広いパワー･バイポーラ･トランジスタが含まれています。