ST Life.augmented


ワイド・バンドギャップ材料の先進的で革新的な特性を基礎とするSTのシリコン・カーバイド(SiC)MOSFETは、1200V定格できわめて低いRDS(on) *領域を持つほか、優れたスイッチング性能を備えており、より効率が高く、小型のシステムを実現します。SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも低いオン抵抗*領域を備えており、クラス最高の1200V IGBTよりも優れたスイッチング性能をすべての温度範囲で示します。これにより、パワー電子システムの熱設計を簡素化できます。

STのSiC MOSFETには、以下のような主な特徴と利点があります。

  • きわめて高い温度(Tj max = 200 °C)に対応できるので、PCBのフォーム・ファクタを小さくできると同時に(熱管理の簡素化)、システムの信頼性が向上します。
  • スイッチング損失が大幅に減少しており、温度によるその変動も少ないので、より小型の受動部品を使用して設計の小型化が可能です。
  • 低いオン抵抗(25℃で80mΩ[代表値])によって高いシステム効率が得られ、冷却の要件も低くなります。
  • 簡単な駆動(コスト効率に優れたネットワーク駆動)
  • 超高速で堅牢な組み込みボディ・ダイオード(外付けのフリーホイール・ダイオードが不要で、システムが小型化)

New 1200 V, 189 mΩ (typ) SiC power MOSFET

ST has extended its SiC MOSFET portfolio with the introduction of the 189 mΩ typ (at 150 °C), 1200 V SCT20N120. Just as the 80 mΩ version (SCT30N120), the device is packaged in the proprietary HiP247™ package and features the industry’s highest junction temperature rating of 200 °C. It shows a very small variation of the on-state resistance versus Tj and also the switching performance is consistent over temperature. This easy-to-drive device can operate at three times the switching frequency of similar-rated IGBTs and results in more compact, reliable and efficient designs in applications such as solar inverters, high-voltage power supplies and high-efficiency drives.
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