PowerFLAT 5x6パッケージに収容された、ブレークダウン電圧範囲が12 V～40 VであるSTのMOSFETは、極めて低いゲート･チャージと最小1.3 mΩ（30 V）の低いオン抵抗を提供しています。 これらは、POL、VRM、マザーボード、ノートPC、携帯型および超携帯型電気機器、リニア･レギュレータ、同期整流、および車載アプリケーションに対する広範な要件を満たすように最適化されています。

この電圧定格でのMOSFETの特徴は、以下のとおりです。

• 極めて低いR_DS(on)
• コンパクト設計用のSMD PowerFLATパッケージやハイ・パワー設計用のH2PAKパッケージなど、さまざまなパッケージの範囲
• 標準、ロジック、およびスーパー･ロジック･レベルの閾値
• 温度センス、電流センス、ESD保護、またはドレイン･ソース･ブレークダウン･クランプのうち1つの機能を追加したSAFeFET (Simple Added Features FET) MOSFET

これらのMOSFETは、小型およびハイ･パワー･パッケージ（DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220、およびPowerFLAT（2x2、3.3x3.3、5x6、5x6ダブル･アイランド、5x6非対称ダブル･アイランド、5x6共通ドレイン））で提供されます。