ST Life.augmented

STP260N6F6

N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
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These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

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Key Features

  • Low gate charge
  • Very low on-resistance
  • High avalanche ruggedness

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Technical Documentation

Product Specifications

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DS6824: N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220 and I²PAK packages
5.0 750 KB

Application Notes

Description Version Size
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AN4191: Power MOSFET: Rg impact on applications
1.0 1,489 KB

User Manual

Description Version Size
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UM1575: Spice model tutorial for Power MOSFETs
1.2 1,550 KB

HW Model & CAD Libraries

HW Model & CAD Libraries

Description Version Size
zip
STP260N6F6 PSpice model
1.0 1 KB

Presentations & Training Material

Presentations

Description Version Size
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60 V to 80 V STripFETVI DeepGATE
1.0.0 748 KB
pdf
STripFET VI DeepGATE
1.0.0 892 KB

サンプル& 購入

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製品型名 Marketing StatusPackagePacking TypeAutomotive GradeOrder From STUnit Price (US$)*
@
Distributor AvailabilityRoHS Compliance GradeDownload
Material Declaration**
STP260N6F6ActiveTO-220ABTube_-Distributor reported inventory date: 2014-12-22
Distributor NameRegionStockMin. order
P&SOrder NowASIA/PACIFIC1981
ARROWOrder NowEUROPE50
Ecopack2PDF
XML

(*)ユニット当たりの推奨再販価格(米ドル建て)は、あくまで予算的な参考情報としてご利用下さい。現地通貨ベースでのお見積り、価格については 弊社セールスオフィス もしくは 販売代理店 にお問合せ下さい。
(**)弊社ホームページで入手できるMaterial Declaration(材料宣誓書)のフォームは、各パッケージ・タイプで最も一般的に使用されるパッケージに基づいた包括的な文書です。そのため、特定のデバイスについて100%正確ではない可能性があります。特定のデバイスに関する情報については、 弊社セールスオフィス にお問合せ下さい。
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