STP260N6F6
N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package-
アクティブ
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
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データシート
Key Features
- Low gate charge
- Very low on-resistance
- High avalanche ruggedness
模様 資源
トップTechnical Documentation
Product Specifications
| 描写 | 稿 | 大きさ |
|---|---|---|
DS6824: N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220 and I²PAK packages
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5.0 | 750 KB |
Application Notes
| 描写 | 稿 | 大きさ |
|---|---|---|
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AN4191: Power MOSFET: Rg impact on applications
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1.0 | 1,489 KB |
HW Model & CAD Libraries
HW Model & CAD Libraries
| 描写 | 稿 | 大きさ |
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STP260N6F6 PSpice model
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1.0 | 1 KB |
Presentations & Training Material
Presentations
| 描写 | 稿 | 大きさ |
|---|---|---|
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60 V to 80 V STripFETVI DeepGATE
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1.0.0 | 748 KB |
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STripFET VI DeepGATE
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1.0.0 | 892 KB |
サンプル& 購入
トップ| 製品型名 | Marketing Status | Package | Packing Type | Automotive Grade | Order From ST | Unit Price (US$)* @ 1000 | Distributor Availability | RoHS Compliance Grade | Download Material Declaration** |
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| STP260N6F6 | Active | TO-220AB | Tube | _ | - | 3.2 |
| Ecopack2 | PDF XML | |||||||||||||||||||||||||
(*) 概算見積もり用になり通貨単位が価格（USD）。詳細情報については、現地通貨での価格は、地元の販売店にお問い合わせください ST 販売の オフィス または当社 代理店 (**) st.comで利用可能な材質宣言フォームはパッケージ·ファミリの中で最も一般的に使用されるパッケージに基づいて一般的な文書かもしれません。このような理由から、彼らは、特定のデバイスのための100％正確ではないかもしれません。当社までご連絡ください セールスサポート 特定のデバイスの詳細については、 |
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