ST Life.augmented
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Nチャネル(400V~650V)

ST’s MDmesh MOSFETs with a breakdown voltage range from 400 V to 650 V offer extremely low RDS(on) down to 15 mΩ (650 V)  in the Max-247.
MDmesh M5 series: outstanding RDS(on) values to significantly reduce power losses in high-power PFC circuits, power supplies and solar inverters.
MDmesh M2 series: featuring an optimized trade-off between RDS(on) and capacitance profiles  for soft-switching topologies. 
MDmesh DM2 series: ST’s latest fast recovery diode series optimized for full-bridge phase-shifted ZVS topologies. The series also includes AEC-Q101-qualified 400 V, 500 V, 600 V and 650 V devices featuring a softer commutation behavior.

These MOSFETs are available in miniature and high power packages: DPAK,IPAK, D2PAK, H2PAK, I2PAK, I2PAKFP, Max247, ISOTOP, SO8, SOT-223, TO-220, TO-247, TO-247-4, TO-3PF and PowerFLAT family (3.3x3.3, 5x5, 5x6 HV, 8x8 HV).

550/650 V MDmesh VパワーMOSFET

電力変換における増大する省エネ要求に応えて、STはMDmesh V MOSFETs製品を拡充してきました。これらのMOSFETは、シリコン面積当たりのオン抵抗性能(25℃で550 Vおよび650 V)を向上させ、PFC回路、電源および太陽光インバータの損失を大幅に低下させます。そのため、新世代の電子製品における省エネ・レベルが向上し、優れた電力密度が実現されます。専用制御ピンでスイッチング効率を改善した新しい4リードTO247-4パッケージ、金属ドレイン・パッドを露出させて放熱効率を高めた高さ1 mmの表面実装PowerFLAT 8x8 HVなど、いくつかのパッケージで提供します。
この新しい技術は、製品設計者が新しいエコ設計基準の高い効率目標といった新たな課題に取り組むのに役立つとともに、通常は電力制御モジュールで失われる貴重な電力を減らすことによって、再生可能エネルギーの分野にも利点をもたらします。
MDmesh V MOSFETは、従来のMDmesh II技術よりも最大40%優れたRDS(on)を達成し、電力スイッチ領域における新たなマイルストーンを確立します。最近、一般的なTO-247パッケージに収容された業界初の650 V AEC-Q101認定デバイスが、高電圧MOSFETのMDmesh Vポートフォリオに加わりました。これらは、HEVやEVでのハードスイッチングおよび大電流トポロジに最適です。

New 650 V MDmesh M2 power MOSFETs

The M2 series of super-junction MOSFETs has been extended with the introduction of 650 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. The low on-resistance (down to 0.36Ω in the TO-220 package) combined with low gate charge and input/output capacitances enable highly-efficient adapters, solar micro-inverters and lighting applications. 
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