多くの場合、パワー･マネジメントの設計には、Max247パッケージに収容されたブレークダウン電圧範囲が450V～650Vの適切なMOSFETを、最小17mΩ（650V）であるオン抵抗に基づいて選択できます。 これらのMOSFETは、SMPS、UPS、LED照明、PVインバータ、モータ制御、溶接、および車載アプリケーションの広範な要件を満たすように設計されています。
この電圧定格でのMOSFETの特徴は、以下のとおりです。
- 650V MOSFETで最小の領域当たりRDS(on)（MDmesh V）
- 厳選された製品ライン向け内蔵高速リカバリ･ダイオードのオプション
- 優れたスイッチング特性による駆動の容易性
- 設計をコンパクト化するための広範なパッケージ（SMD PowerFLATパッケージを含む）
- ゲートからソースへのツェナー保護
これらのMOSFETは、小型およびハイ･パワー･パッケージ（DPAK、D2PAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、Max247、SO8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-3PF、TO-92、およびPowerFLAT HVファミリ（3.3x3.3、5x5、8x8））で提供されます。
550/650 V MDmesh V power MOSFETs
To meet the demand for greater energy savings in power conversion, we have enlarged our product offering of MDmesh V MOSFETs. These MOSFETs feature the best RDS(on) * area on the market (550 V and 650 V @ 25 °C) and significantly reduces losses in line-voltage PFC circuits, power supplies and solar inverters. This in turn enables new generations of electronic products with greater energy savings and superior power density. Several packages are available, including the new 4-lead TO247-4 featuring a dedicated control pin for increased switching efficiency, and the 1-mm high surface mount PowerFLAT 8x8 HV featuring an exposed metal drain pad for efficient heat dissipation.
This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules.
MDmesh V MOSFETs achieve up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establish a new milestone in the power switch arena.
