ST Life.augmented

STP24N60M2

N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus(TM) low Qg Power MOSFET in TO-220 package
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These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

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Key Features

  • Extremely low gate charge
  • Lower RDS(on)x area vs previous generation
  • Low gate input resistance
  • 100% avalanche tested
  • Zener-protected

デザイン・リソース

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Technical Documentation

Product Specifications

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DS9377: N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages
5.0 1,557 KB

Technical Notes & Articles

Description Version Size
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TN1156: Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
1.0 658 KB

User Manual

Description Version Size
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UM1575: Spice model tutorial for Power MOSFETs
1.2 1,550 KB

HW Model & CAD Libraries

HW Model & CAD Libraries

Description Version Size
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STP24N60M2 PSpice model
10 KB

サンプル& 購入

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製品型名 Marketing StatusPackagePacking TypeAutomotive GradeOrder From STUnit Price (US$)*
@ 1000
Distributor AvailabilityRoHS Compliance GradeDownload
Material Declaration**
STP24N60M2ActiveTO-220ABTube_Free Samples2.5Distributor reported inventory date: 2014-12-20
Distributor NameRegionStockMin. order
P&SOrder NowASIA/PACIFIC501
ANGLIA LiveOrder NowEUROPE100050
RS COMPONENTSOrder NowEUROPE9605
DIGIKEYOrder NowWORLDWIDE10381
MOUSEROrder NowWORLDWIDE14911
Ecopack2PDF
XML

(*)ユニット当たりの推奨再販価格(米ドル建て)は、あくまで予算的な参考情報としてご利用下さい。現地通貨ベースでのお見積り、価格については 弊社セールスオフィス もしくは 販売代理店 にお問合せ下さい。
(**)弊社ホームページで入手できるMaterial Declaration(材料宣誓書)のフォームは、各パッケージ・タイプで最も一般的に使用されるパッケージに基づいた包括的な文書です。そのため、特定のデバイスについて100%正確ではない可能性があります。特定のデバイスに関する情報については、 弊社セールスオフィス にお問合せ下さい。
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