ST Life.augmented
sense_power

Nチャネル(400V~650V)

多くの場合、パワー・マネジメントの設計には、Max247パッケージに収容されたブレークダウン電圧範囲が450V~650Vの適切なMOSFETを、最小17mΩ(650V)であるオン抵抗に基づいて選択できます。これらのMOSFETは、SMPS、UPS、LED照明、PVインバータ、モータ制御、溶接、および車載アプリケーションの広範な要件を満たすように設計されています。

この電圧定格でのMOSFETの特徴は、以下のとおりです。

  • 厳選された製品ライン向け内蔵高速リカバリ・ダイオードのオプション
  • 優れたスイッチング特性による駆動の容易性
  • 設計をコンパクト化するための広範なパッケージ(SMD PowerFLATパッケージを含む)
  • ゲートからソースへのツェナー保護

これらのMOSFETは、小型およびハイ・パワー・パッケージ(DPAK、D2PAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、Max247、SO8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO247-4、TO-3PF、TO-92、およびPowerFLAT HVファミリ(3.3x3.3、5x5、5x6、8x8))で提供されます。

550/650 V MDmesh VパワーMOSFET

電力変換における増大する省エネ要求に応えて、STはMDmesh V MOSFETs製品を拡充してきました。これらのMOSFETは、シリコン面積当たりのオン抵抗性能(25℃で550 Vおよび650 V)を向上させ、PFC回路、電源および太陽光インバータの損失を大幅に低下させます。そのため、新世代の電子製品における省エネ・レベルが向上し、優れた電力密度が実現されます。専用制御ピンでスイッチング効率を改善した新しい4リードTO247-4パッケージ、金属ドレイン・パッドを露出させて放熱効率を高めた高さ1 mmの表面実装PowerFLAT 8x8 HVなど、いくつかのパッケージで提供します。
この新しい技術は、製品設計者が新しいエコ設計基準の高い効率目標といった新たな課題に取り組むのに役立つとともに、通常は電力制御モジュールで失われる貴重な電力を減らすことによって、再生可能エネルギーの分野にも利点をもたらします。
MDmesh V MOSFETは、従来のMDmesh II技術よりも最大40%優れたRDS(on)を達成し、電力スイッチ領域における新たなマイルストーンを確立します。最近、一般的なTO-247パッケージに収容された業界初の650 V AEC-Q101認定デバイスが、高電圧MOSFETのMDmesh Vポートフォリオに加わりました。これらは、HEVやEVでのハードスイッチングおよび大電流トポロジに最適です。

New 650 V MDmesh M2 power MOSFETs

The M2 series of super-junction MOSFETs has been extended with the introduction of 650 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. The low on-resistance (down to 0.36Ω in the TO-220 package) combined with low gate charge and input/output capacitances enable highly-efficient adapters, solar micro-inverters and lighting applications. 
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