ST Life.augmented
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パワーMOSFET

STのMOSFETポートフォリオは、-500V~1500Vの広範なブレークダウン電圧を低いゲート電荷およびオン抵抗と合わせて最先端のパッケージで提供します。STの高電圧および低電圧MOSFET向けプロセス技術によって電力処理能力が向上した結果、効率の高いソリューションがもたらされました。

STの幅広いポートフォリオの主な特徴は以下のとおりです。

  • -500 V~1500 Vのブレークダウン電圧範囲
  • スイッチング効率を向上させる専用の制御ピンを備えた新しい4リードTO247-4、露出した大きな金属製ドレイン・パッドによる優れた熱的性能を備えた高さ1mmの表面実装PowerFLAT™ 8x8 HVとPowerFLAT 5x6 HV、VHVなど、30を超えるパッケージ・オプション
  • 今日の厳しい効率要件を満たすように改善されたゲート電荷と低くなった電力損失
  • 厳選された製品ライン向けの内蔵高速ボディ・ダイオード

STは、POL、通信用DC-DCコンバータ、PFC、スイッチ・モード電源、車載機器などのアプリケーションに対応する各電圧範囲で設計するのに適したMOSFETを取り揃えています。

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2つの新しいSMDパワー・パッケージでパワーMOSFETポートフォリオを拡張

STは、 PowerFLAT 5x6 HV(沿面距離1.9 mm)とPowerFLAT 5x6 VHV(沿面距離2.7 mm)という2つの新しいSMDパワー・パッケージ・オプションを追加して、高電圧(600/650 V)および超高電圧(800 V)MOSFETの製品ポートフォリオを拡張しました。広く使用されているDPAKよりフットプリントが52%小さく、厚さはわずか1 mmであるため、太陽光マイクロインバータ、バッテリ充電器、コンピュータ用電源などのアプリケーションでのコンパクトな高効率デザインに最適です。大きく露出した金属ドレイン・パッドによって放熱効率が最大化されます。
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