ST Life.augmented
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パワーMOSFET

STのMOSFETポートフォリオは、-500V~1,500Vの広範なブレークダウン電圧を、低いゲート電荷および低いオン抵抗と合わせて最先端のパッケージで提供します。STの高電圧MOSFET(MDmesh™)および低電圧MOSFET(STripFET™)向けプロセス技術によって電力処理能力が向上した結果、効率の高いソリューションが可能になりました。

STの幅広いポートフォリオの主な特徴は以下のとおりです。

  • -500 V~1500 Vのブレークダウン電圧範囲
  • スイッチング効率を向上させる専用制御ピンを備えた新しい4リードTO247-4や、大電流に対応するH2PAK、露出した大きな金属製ドレイン・パッドによる優れた熱的性能を備えた、高さ1mmの表面実装PowerFLAT™ 8x8 HVとPowerFLAT 5x6 HV、VHVなど、30を超えるパッケージ・オプション
  • 今日の厳しい効率要件を満たすように改善されたゲート電荷と低下した電力損失
  • 内蔵高速ボディ・ダイオードの製品ラインナップ
  • オートモーティブ・グレードMOSFETの幅広いポートフォリオ

STは、スイッチ・モード電源、照明、DC-DCコンバータ、PFC、モータ制御、車載機器などのアプリケーションに対応する各電圧範囲での設計に適したMOSFETを取り揃えています。

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I2PAKFPパッケージが高電圧スーパージャンクションMOSFET製品の幅を拡大

小型LEDドライバ・アプリケーションとスリムなノートPC用アダプタに適したI2PAKFPパッケージ・オプションによって、STの800V MDmesh K5 MOSFET600V MDmesh M2 MOSFETのポートフォリオがさらに充実しますす。このフルモールド型パッケージは、TO-220FPよりもボディ高さが30%低いにもかかわらず同レベルの熱的性能と電気絶縁を維持しています。このパッケージはクリップで取り付けることが可能なため、接触圧がさらに均一化され、良好な熱的接触が得られます。
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