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Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
  • active Active

This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems.

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Errata Sheet
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Key Features

  • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
  • ESD gate-emitter protection
  • Gate-collector high voltage clamping
  • Logic level gate drive
  • Low saturation voltage
  • High pulsed current capability
  • Gate and gate-emitter resistor



Technical Documentation

Product Specifications

Description Version Size
DS9488: Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
5.0 1,136 KB

Application Notes

Description Version Size
AN1491: IGBT basic
2.4 119 KB
AN484: Car ignition with IGBTs
1.2 216 KB

HW Model & CAD Libraries

HW Model & CAD Libraries

Description Version Size
STGD20N40LZ PSpice model
8 KB

Publications and Collaterals

Conference Paper

Description Version Size
MOSFETs or IGBTs in the modern ERC and SUSTAIN modules of PDPs? An empirical approach for choosing suitable power switches
1.0.0 692 KB

サンプル& 購入

製品型名 Marketing StatusPackagePacking TypeTurn-off switching losses (typ) (@ Tc=125 °C) Total Power Dissipation (max) Automotive GradeOrder From STUnit Price (US$)*
@ 1000
Distributor AvailabilityRoHS Compliance GradeDownload
Material Declaration**
STGD20N40LZActiveDPAKTape And Reel125Yes-.95No availability reported, please contact our Sales officeEcopack1PDF

(*)ユニット当たりの推奨再販価格(米ドル建て)は、あくまで予算的な参考情報としてご利用下さい。現地通貨ベースでのお見積り、価格については 弊社セールスオフィス もしくは 販売代理店 にお問合せ下さい。
(**)弊社ホームページで入手できるMaterial Declaration(材料宣誓書)のフォームは、各パッケージ・タイプで最も一般的に使用されるパッケージに基づいた包括的な文書です。そのため、特定のデバイスについて100%正確ではない可能性があります。特定のデバイスに関する情報については、 弊社セールスオフィス にお問合せ下さい。
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