STの600～650 V IGBTは、動作周波数が最大100 kHzのアプリケーションに3A～150Aの範囲の最大コレクタ電流を供給します。 設計最適化のために調整されたアンチパラレル･ダイオードを内蔵したバージョンも利用できます。 この電圧範囲は、ST独自の標準パンチスルーPowerMESH技術と新たに導入したトレンチゲート･フィールドストップ技術によって達成されます。
これらの600～650V IGBTが対象とするアプリケーションには、家庭用電気製品、誘導加熱、太陽光発電、UPS、溶接、照明などがあります。 D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247（長リード線）、TO-3PFパッケージで提供されます。
650 V trench-gate field-stop IGBTs
The field-stop technology is based on a back-implanted collector and buffer layer, resulting in a very fast and tight response at the turn off. By also featuring trench-gate technology, which increases channel density to further reduce conduction losses, TGFS IGBTs realize significant efficiency gains. In addition, the reduced die thickness permitted by TGFS enhances the transistor’s thermal performance, increasing reliability and simplifying the design of thermal management.
