高い信頼性と放射線耐性を備えたSTのパワーMOSFETは、高信頼性要件と宇宙アプリケーション向けに特化して設計されています。 最大100 Vのブレーク電圧、最大48 Aのドレイン電流、最小30 mΩのR_DS(on)の範囲の製品があります。

これらはESCC規格の認定を取得しており、70 kradのTID放射線性能を満たしています。 
これらの製品は、すべてを欧州内で設計しているため、欧州の輸出規則にのみ制約されます。

また、ダイとパッケージ（スルーホール･ハーメチック･パッケージのTO-254AAを含む）で供給しています。