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RFフロント・エンド向けIPD

STのIPD(集積受動素子)プロセスでは、様々な設計形態で高品質な受動素子(抵抗器、インダクタ、コンデンサ)をガラス基板または高抵抗性シリコン基板上に集積できます。バラン、RFカプラ、コンバイナ、フィルタ、ダイプレクサ、トリプレクサ、およびインピーダンス整合回路などの回路ブロックを、この技術で利用可能です。STは現在、バラン、RFカプラ、フィルタ、ダイプレクサなどをカタログ製品として提供しています。

IPD技術は、Sub-1GHz、WLAN、Bluetooth、ZigBee、WiMax、UWB、UMTS、LTEなど、周波数帯域が168MHz以上であるすべてのRFアプリケーションに利用できます。この技術の主な利点は、競争力のあるコスト構造、回路の小型化、および低い電力損失です。

STのIPD製品は、CSP、マイクロバンプ、ワイヤボンディングなど、様々な組立形態で提供できるため、基板、またはRFモジュール内部のいずれにも実装できます。