ST Life.augmented
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ハイサイド・パワースイッチ

STのインテリジェント・ハイサイド・スイッチは、誘導負荷、容量性負荷、または負荷抵抗を駆動する1チャネルまたは複数チャネルのバイポーラ / MOSFET出力スイッチを提供します。 CPUフィードバックの診断機能とさまざまな保護機能を使用しているために、このデバイスは本質的に壊れにくく、産業アプリケーションに適しています。 このデバイスは、広い電圧範囲(+5.5~+50 V)で動作します。

STのVNxxスイッチは、短絡と熱的過負荷状態に対する組込み保護機能による極小のRDS(on)スイッチングと包括的な診断機能を提供します。 ハイサイド構成では、8つまでの負荷を同時に制御できます。

High-side switches

ISO8200B: チップ上にガルバニック絶縁を施した初のインテリジェント・パワー・スイッチ

ISO8200B: チップ上にガルバニック絶縁を施した初のインテリジェント・パワー・スイッチ

ISO8200Bはガルバニック絶縁を組込んだ初のSTインテリジェント・パワー・スイッチであり、小型で堅牢性に飛んだ最終アプリケーションを実現する優れた性能を備え、これまでにない高い電圧定格に対応できます。

ISO8200Bには、次のような特長も備えています。

  • 外部EMCノイズに対するクラス最高の妨害耐性
  • チップ当たり最大で8つの外部デバイスに同期可能
  • 前例のない低RDS(on)と低電力損失

このデバイスは広い温度範囲での動作が可能であり、プログラマブル・ロジック・コントローラ、コンピュータ・デジタル制御機器などの産業オートメーション・アプリケーションに最適です。

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