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RF DMOS Transistors

ST offers a broad portfolio of RF DMOS transistors operating from a supply voltage ranging from 28 up to 250 V. They target applications in the 1 MHz to 250 MHz frequency range and feature high peak power (up to 1.2 kW) and high ruggedness capability (infinite:1 VSWR).

Target applications include:

  • RF plasma generators
  • Laser drivers
  • RF heating
  • Magnetic resonance imaging (MRI)
  • HF transceivers
  • FM broadcast

STAC®エアキャビティ・パッケージに収容された50 V DMOS RF MOSFET

STの革新的なSTACエアキャビティ・パッケージに収容された新しい50 V DMOSデバイスは、セラミック・パッケージに収容されたデバイスより25%低い熱抵抗によりMTTFが向上し、更にRF特性(350Wまで)と要求される耐力(全位相においてVSWR65で規定)が改善されています。これらは、PECVD用RFジェネレータ、プラズマ・スパッタリングおよびフラットパネル、ソーラーセル製造装置などのアプリケーションに対し、費用対効果に優れたソリューションになります。
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