ST Life.augmented


1200W Pulse - 100V HF/VHF DMOS TRANSISTOR in STAC Flangeless package
  • active Active

The STAC4932F is a N-channel MOS field-effect RF power transistor. It is intended for 100 V pulse applications up to 250 MHz. This device is suitable for use in industrial, scientific and medical applications.

The STAC4932B benefits from the latest generation of efficient, patent-pending package technology, otherwise known as STAC®.

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Errata Sheet
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Key Features

  • Excellent thermal stability
  • Common source push-pull configuration
  • POUT = 1000 W min. (1200 W typ.) with 26 dB gain @ 123 MHz
  • Pulse conditions: 1 msec - 10%
  • In compliance with the 2002/95/EC European directive
  • ST air cavity packaging technology - STAC®package



Technical Documentation

Product Specifications

Description Version Size
DS6726: RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
3.1 325 KB

Application Notes

Description Version Size
AN3232: Mounting recommendations for STAC® and STAP® boltdown packages
4.0 1,711 KB

HW Model & CAD Libraries

HW Model & CAD Libraries

Description Version Size
STAC4932x ADS model
1.0.0 417 KB

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製品型名 Description
STSW-RFMOS001 Mismatch analysis for RF transistor circuits based on Agilent ADS
STSW-RFMOS002 Large signal load stability for RF transistors based on Agilnet ADS

サンプル& 購入

製品型名 Marketing StatusPackagePacking TypeAutomotive GradeOrder From STUnit Price (US$)*
@ 1000
Distributor AvailabilityRoHS Compliance GradeDownload
Material Declaration**
STAC4932FActiveSTAC244FLoose Piece_-67.9No availability reported, please contact our Sales officeEcopack1-

(*)ユニット当たりの推奨再販価格(米ドル建て)は、あくまで予算的な参考情報としてご利用下さい。現地通貨ベースでのお見積り、価格については 弊社セールスオフィス もしくは 販売代理店 にお問合せ下さい。
(**)弊社ホームページで入手できるMaterial Declaration(材料宣誓書)のフォームは、各パッケージ・タイプで最も一般的に使用されるパッケージに基づいた包括的な文書です。そのため、特定のデバイスについて100%正確ではない可能性があります。特定のデバイスに関する情報については、 弊社セールスオフィス にお問合せ下さい。
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