HFおよびVHF周波数帯全体でのRF性能が向上するように最適化されたプロセス･レイアウトをベースとするSTの50V RF DMOSトランジスタは、ISM、HFトランシーバ、およびFM放送アプリケーションに最適です。 このデバイスは、高いブレークダウン電圧（最大200 V超）と耐久性の改善により、極めて優れたRFゲイン（20 dB超）と出力飽和（最大450 W）を示します。

主な特徴：

• 出力：最大350 W
• ブレークダウン電圧BVDSS：最大200 V超
• 極めて高い耐久性：全位相でのVSWRが「無限大：1」
• クラス最高の信頼性：100万パワー･サイクル
• 低熱抵抗
• セラミック･パッケージに比べて接合部 / ケース間の熱抵抗（25%低下）とRF性能が向上したSTのエア･キャビティ（STAC^®）パッケージ･オプション