2 GHzまでの動作をターゲットとするSTの28 / 32 V LDMOSトランジスタは、従来世代のLDMOSよりRF性能（ゲイン：4 dB向上、効率性：15%向上）、耐久性（VSWR：20:1超）、および信頼性が大幅に改善されました。 セラミック･パッケージとコスト効率に優れたPowerSO-10RFプラスチック･パッケージの両方で供給されており、リピータ、基地局、政府の広帯域通信、およびLバンド衛星アップリンク機器に最適です。
主な特徴：
- 周波数：HF～2 GHz
- ブレークダウン電圧BVDSS：>80 V
- 電源電圧：最大32 V
- 出力：最大150 W
- ゲイン：20 dB
- 効率性：65%
- 耐久性：>20:1（全位相でのVSWR（CW））
- ダイ供給可能
