ST Life.augmented
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28 / 32V RF LDMOS トランジスタ(HF~2GH)

2 GHzまでの動作をターゲットとするSTの28 / 32 V LDMOSトランジスタは、従来世代のLDMOSよりRF性能(ゲイン:4 dB向上、効率性:15%向上)、耐久性(VSWR:20:1超)、および信頼性が大幅に改善されました。 セラミック・パッケージとコスト効率に優れたPowerSO-10RFプラスチック・パッケージの両方で供給されており、リピータ、基地局、政府の広帯域通信、およびLバンド衛星アップリンク機器に最適です。

主な特徴:

  • 周波数:HF~2 GHz
  • ブレークダウン電圧BVDSS:>80 V
  • 電源電圧:最大32 V
  • 出力:最大150 W
  • ゲイン:20 dB
  • 効率性:65%
  • 耐久性:>20:1(全位相でのVSWR(CW))
  • ダイ供給可能
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