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シリコン・カーバイド・ダイオード

STのシリコン・カーバイド(SiC)ダイオードは、Siより優れたSiCの物理特性を利用しています。動的特性は4倍優れ、順方向電圧VFは15 %低くなっています。

逆回復時間が短いSTのSiCダイオードは、SMPSアプリケーションに加え、太陽エネルギー変換やEV/HEVの充電ステーションといった新しい分野のほか、溶接機器やエアコンなどのアプリケーションでの省エネに大きく貢献しています。

STのSiC製品ポートフォリオは、ハロゲン・フリーのTO-247パッケージに収容された20 A / 600 Vのダイオードを含んでおり、4~12 AまでのスルーホールおよびSMDパッケージ製品に拡張しています。

今では、STの6 A / 1200 Vのデバイスと650 VシリーズのSiCダイオードは第2世代に入りつつあります。
 

Performance comparison curve between 600 V Si, Ultrafast tandem and Si diodes

STの650V新世代SiCダイオード

STの650V新世代SiCダイオード

STの新しい650V定格のシリコン・カーバイド・ダイオード・シリーズに、カソード共通または直列接続の2回路構成品が新たに加わりました。これらの新製品は、インタリーブ型またはブリッジレス型の力率改善 (PFC) 回路に最適です。

- STPSC8/12/16/20H065C(8A、12A、16A、20A)は、標準TO-220AB パッケージにカソード共通構成のダイオード2回路を封止した製品です (20A品にはTO-247パッケージも用意されています)。
- STPSC6/8/10TH13TI(6A、8A、10A)は、絶縁型TO-220AB パッケージに直列接続構成のダイオード2回路を封止した製品です。ヒートシンクへの固定が簡単で、外付けの絶縁構造を必要としません。

これらのデバイスは、シリコン・ダイオードに比べて高いエネルギー効率と耐久性を持つというSiCの性能上の利点に加えて、集積された2回路のダイオードによる省スペースと低減されたEMI性能を兼ね備えています。
これにより、サーバや通信機器の電源、太陽光発電用インバータ、電気自動車の充電ステーションなどのアプリケーションでエネルギー効率の向上と設計の簡素化を実現します。

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