ST Life.augmented

STH260N6F6-2

N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package
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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

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Key Features

  • Low gate charge
  • Very low on-resistance
  • High avalanche ruggedness

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Product Specifications

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DS7207: N-channel 60 V, 1.7 mΩ typ., 180 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in H²PAK-2 package
4.0 725 KB

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STH260N6F6-2 PSpice model
10 KB

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Description Version Size
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60 V to 80 V STripFETVI DeepGATE
1.0.0 748 KB
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STripFET VI DeepGATE
1.0.0 892 KB

サンプル& 購入

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製品型名 Marketing StatusPackagePacking TypeAutomotive GradeOrder From STUnit Price (US$)*
@
Distributor AvailabilityRoHS Compliance GradeDownload
Material Declaration**
STH260N6F6-2ActiveH2PAK-2Tape And Reel_Free SamplesDistributor reported inventory date: 2014-10-31
Distributor NameRegionStockMin. order
AVNETOrder NowAMERICA10000
Newark Element14Order NowAMERICA9800
Farnell Element14Order NowEUROPE7281
DIGIKEYOrder NowWORLDWIDE8621
Ecopack1PDF
XML

(*)ユニット当たりの推奨再販価格(米ドル建て)は、あくまで予算的な参考情報としてご利用下さい。現地通貨ベースでのお見積り、価格については 弊社セールスオフィス もしくは 販売代理店 にお問合せ下さい。
(**)弊社ホームページで入手できるMaterial Declaration(材料宣誓書)のフォームは、各パッケージ・タイプで最も一般的に使用されるパッケージに基づいた包括的な文書です。そのため、特定のデバイスについて100%正確ではない可能性があります。特定のデバイスに関する情報については、 弊社セールスオフィス にお問合せ下さい。
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