ST Life.augmented

プレスリリース

STマイクロエレクトロニクス、Solar Power International 2012にて太陽光発電システム用SiCソリューションを発表

太陽光発電の電力効率向上に向けた先進的パワー・デバイス・ポートフォリオ

ジュネーブ発 /

エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、Solar Power International 2012(SPI 2012)において、SiC(シリコン・カーバイド)デバイスに関する進捗を発表しました。これにより、システム・メーカーは、太陽光エネルギーを電力網品質の電力へと変換できる超高効率な電子機器を開発できるようになります。

SPIに出展されたSTのSiCダイオード(1200V耐圧) は、太陽電池モジュールのDC-DC昇圧コンバータおよびDC-ACインバータで用いられている現行のシリコン・ダイオードに代わり、低電圧出力を高品質AC電源に変換することができる製品です。 

太陽光発電システムの電力変換アプリケーションをターゲットとしているSiCは、一般的なシリコン・バイポーラ・ダイオードよりも、速度・効率・性能面において優れています。SiCダイオードは、導通および非導通状態のスイッチングの高速化が可能で、スイッチング時に生じる逆回復電流の影響を低減し、一般的なシリコン・バイポーラ・ダイオードの電力損失を最大70%低減することができます。.また、幅広い温度範囲にわたって高効率を維持し、システム動作周波数の高速化・最適化が可能です。
 
STが行ったSiCダイオード(1200V耐圧)を用いた試験では、高負荷・高周波数動作時でも、インバータの効率が全体で2%向上することが確認されました。この効率改善は、住宅用太陽光発電システムや太陽光発電所等の設備でインバータを耐用年数まで使用した場合、何メガワット時もの貴重な電力の節約につながります。

STは、SPI 2012にて、SiC MOSFETプログラムの進捗についても発表しました。SiC MOSFETは、太陽電池用インバータにおける高電圧シリコンIGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)の代替製品として期待されている先進的なデバイスで、多くのメリットを提供します。SiC MOSFETは、IGBTの電力損失を少なくとも50%低減することに加え、特別な駆動回路を必要とせず、より高い周波数での動作が可能です。これにより設計者は、他の電源部品を最小化することができるため、コスト削減や小型化、および電力効率の向上を図ることができます。 

SiC MOSFETおよびSiCダイオードのアプリケーションには、電力使用量が大きいサーバ・システムやデータ・センター、および電気自動車のモータ駆動部で使用される大型電源が含まれます。
ソーラー・エネルギーに関する主要展示会・コンファレンスであるSPI 2012は、2012年9月10日~13日にフロリダ州オーランドのオレンジ・カウンティ・コンベンション・センターで開催されました。

高解像度画像(300dpi)ダウンロード

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、Sense & Powerおよびマルチメディア・コンバージェンス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。
2011年の売上は97.3億ドルでした。さらに詳しい情報は、STのウェブサイト( " type="">www.st-japan.co.jp )をご覧ください。

 

Feedback Form
Customer Feedback