ST Life.augmented

プレスリリース

STマイクロエレクトロニクスとCEA-Letiの研究者が、2012 Général Ferrié Grand Prizeを受賞

次世代半導体プロセス技術への取り組みにフランス電子研究開発における最高の栄誉

クロル(フランス)発 /

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST) と、フランス最高の研究・技術機関であるCEA-Leti(フランス原子力庁電子・情報技術研究所)は、STとCEA-Letiの研究者チームが2012 Général Ferrié Awardを受賞したことを発表しました。

フランス電子研究開発における最高の賞と考えられているGénéral Ferrié Awardは、毎年、電子技術とその応用分野の発展に大きく貢献したエンジニア・科学者チームを表彰するものです。 

TEAM CROLLES今回受賞したのは、CEA-LetiのClaire Fenouillet-Béranger、Olivier Faynot、およびSTの、Stéphane Monfray、Frédéric Bœufです。同賞は、電子回路を小型化する技術的ブレークスルーとなったFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)技術の研究に対して授与されました。

1960年代初頭より、半導体業界は、集積回路上のトランジスタの数が約2年毎に倍増するというムーアの法則に従い、演算能力向上への高まる要求に対応する取り組みを続けてきました。

しかし、トランジスタのサイズが100nmを下回ると、その電気的動作の制御が困難を極めるいう大きな制約が出てきました。STとCEA-Letiのアドバンスド・モジュール・チームが2000年前後に開始したこの研究により、新しい手法が従来型トランジスタにもたらす性能向上の定量化が可能になりました。

絶縁膜上の超薄型シリコン基板にトランジスタを形成するというアイデアが、長い期間をかけて、厚いシリコン基板上にトランジスタを形成する方法に代わるものとして開発されました。その成果がFD-SOIです。このプレーナ技術は、従来技術で既に利用されている製造プロセスを使用していますが、 FinFETをはじめとするその他の手法は3Dトランジスタに依存しているため、設計技法とプロセス技術に大きな変更を要します。

実際、4名の研究者はFD-SOIという技術的選択の検証に成功すると共に、実用化を可能にしました。また、このアプローチでは次の3つの優位性が確認されました。

  • 既存の標準技術(シリコン単結晶基板用"バルク")と非常に近い生産プロセス
  • 平面構造のため、バルクからFD-SOI技術への回路設計移行はFinFETより大幅に容易
  • 高性能かつ低消費電力が求められるスマートフォンやタブレット等の携帯型機器に最適

CEA-LetiのCEOであるLaurent Malierは、次の様にコメントしています。「今回の受賞により、CEA-Letiの20年以上にわたるSOIの研究開発が認められました。この技術が実用化レベルにまで発展し、性能と消費電力の理想的な両立を可能にする携帯型機器向けのコンポーネントとして、優れた候補となったことをとても誇りに思います。」

STのアドバンスト・デバイス担当ディレクターで、IEEEフェローを務めるThomas Skotnickiは、次の様にコメントしています。「先進部品チームの中心であったClaire、Frédéric、Olivier、Stéphaneは粘り強く、質の高い研究により、薄膜トランジスタのさまざまな概念を証明しただけでなく、実用化における全ての課題を克服しました。」

STのデジタル部門フロント・エンド製造技術研究開発担当エグゼクティブ・バイスプレジデントである Joël Hartmann は、次の様にコメントしています。「絶え間なく部品の小型化を目指す熾烈な国際競争にさらされたこの業界で、CEAとSTの長期にわたる協力が受賞したことを非常に嬉しく思います。」

12月 3日に行われた受賞式は、SEE(Société de l’Electricité, de l'Electronique et des Technologies de l'Information et la Communication)のプレジデントであるPaul Friedelと、科学技術アカデミーのメンバーで、Committee for Awards and DistinctionsのプレジデントであるErich Spitzが主宰しました。

同賞は、エンジニアでフランス軍司令官であり、無線普及の先駆者であったGustave-Auguste Ferrié(1868年~1932年)を記念するものです。1904年に、同氏は、エッフェル塔に無線電波局を設置する際の担当者でした。また、1917年、当時スパイであったMata Hariの通信が同氏の装置により傍受され、彼女のスパイ活動に終止符が打たれました。


STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワーとオートモーティブ製品」部門と「エンベデッド・プロセッシング ソリューション」部門の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。

2011年の売上は97.3億ドルでした。さらに詳しい情報は、STのウェブサイト( " type="">www.st-japan.co.jp)をご覧ください。


cea letiCEA-Letiについて
Letiは、エネルギー、IT、ヘルスケア、防衛、セキュリティに関するフランスの研究機関であるCEAの研究所で、 産業パートナーへの技術移転を通して、価値と革新の創造に取り組んでいます。ナノテクノロジーと、無線機器・システムから生物学、ヘルスケア、フォトニクスまでにわたる応用分野を専門としており、 NEMSおよびMEMSを中心に研究を進めています。また、MINATECキャンパスの中心であるCEA-Letiは、200mm / 300mmウェハ・プラットフォームに基づく最先端のクリーン・ルーム(8000m2)を運営しています。240名に上る博士課程の学生とパートナー企業からの200名の出向者を含む、 1700名の科学者およびエンジニアが勤務しています。CEA-Letiは1800以上の特許ファミリーを所有しています。
詳細についてはWebサイト( www.leti.fr )をご覧ください。

CEA-Letiへのお問い合わせ先
Thierry Bosc
Tel: +33 4 38 78 31 95
E-Mail: thierry.bosc@cea.fr

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