意法半导体的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体面向高、低压MOSFET的制程增强了功率处理能力,从而实现了高效解决方案。

产品的主要特性包括:

  • 击穿电压范围:-500 ~ 1500 V
  • 提供30多种封装选项,包括带有专用控制引脚、能够提高开关效率的新型4引脚TO247-4封装和1-mm表贴封装PowerFLAT™ 8x8 HV、PowerFLAT 5x6 HV及VHV封装。这些表贴封装带有大片裸露金属作为漏极,使得其具有优异散热能力。
  • 改善了栅电荷,降低了功耗,满足了当今极具挑战性的效率要求
  • 面向所选产品线的本征快速体二极管

在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内,意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。

防电弧封装进一步扩大MOSFET系列的阵容

ST推出完全隔离的全新TO-220FP宽沿面封装,扩展了 MDmesh M2MDmesh K5 MOSFET系列。 它具有更好的沿面(4.25 mm引脚距离),提供针对高压电弧故障的更高水平的防护。 它避免了使用2.54 mm引脚间距的传统封装时为防止电弧而需要采用的特殊灌封、引线成形、套管或密封,从而简化了制造工艺,降低了系统成本。
由于灰尘进入,可能导致发生高压电弧,这回降低沿面的效果。 由于采用更宽的沿面,这种封装符合电视和个人电脑中采用的开架式电源的严格要求。

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