碳化硅 - 高压开关和整流的最新突破

ST 的碳化硅设备产品系列包括650 / 1200 V SiC MOSFET,具有业界最高的200°C额定结温,可据此作出更有效、简化的设计。SiC二极管电压范围从600至1200 V,具有负开关损耗以及比标准硅二极管低15%的前向电压(VF)。

SiC MOSFET
SiC MOSFET

主要特性:

  • 业界最高的200°C工作结温(Tj max),降低了对冷却和散热的需求
  • 在高达200°C的整个温度范围内有低导通状态电阻,降低了对冷却的需求,具有更高的系统效率
  • 超低功率损耗
  • 导通电阻随温度的增加更少
    非常容易驱动(需要的元件数更少)
  • 高工作频率降低了开关损耗,令系统更小、更轻
  • 稳定的超快速本体二极管

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SiC二极管
SiC二极管

主要特性:

  • 超低前向导通损耗,增加了效率
  • 低开关损耗,降低了功率转换器的尺寸和成本
  • 软开关行为(低EMC影响),简化了认证,加速了投放市场的时间
  • 高前向浪涌能力,增加了稳定性和可靠性
  • 高功耗集成(双二极管),降低了PCB尺寸
  • 高温度能力,Tj max = 175 °C
  • 具有AEC-Q101认证和PPAP能力的汽车级SiC二极管 

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