STの第3世代SiC MOSFETをベースにした小型ACEPACK DRIVEパワー・モジュール

HEV/EVトラクション・スクールインバータに対応

ACEPACK DRIVE with Gen 3 SiC MOSFETs

HEV/EVトラクション・インバータの効率と熱性能を高めるオールインワン・ソリューション

HEV/EVトラクション・インバータの効率と熱性能を高めるオールインワン・ソリューション

汎用性に優れたACEPACK DRIVEパワー・モジュール・ポートフォリオには、750V / 1200Vのブロッキング電圧に対応した先進デバイスが含まれています。これらのモジュールは、非常に低いRDS(on)、少ないスイッチング損失、同期整流モードにおける卓越した性能を特徴とします。また、直接液体冷却方式のベースプレートとAMB基板により、熱性能を最大限に高めます。この設計により効率を高め、電気自動車の航続距離を伸ばすと同時に、システムに必要なスペースを削減します。 

Optimal thermal performance

最適な熱性能

Reliable and durable connection

信頼性と耐久性に優れた端子

Different mounting options

各種マウント・オプション

ACEPACK DRIVEシリーズの特徴

  • 電気的特性
    • 750V / 1200V第3世代SiC MOSFET
    • 低い浮遊インダクタンス
    • 各種バス・バー設定が可能
       
  • 熱管理
    • 直接液体冷却用ピンフィン
    • 最大接合部温度:175℃
    • それぞれの基板ごとに専用NTCを用意
       
  • 機械的設計
    • プラグ・アンド・プレイ・トラクション・インバータ・ソリューション
    • プレス・フィット端子
       
  • コンプライアンス & 規格
    • AQG 324認定済み

 

ACEPACK DRIVE
750Vシリーズ

ACEPACK DRIVE
1200Vシリーズ

ブレークダウン電圧(VDS)

750V

1200V

電源スイッチ・タイプ

SiC

SiC

RDS(on)(@ TJ=25℃)標準

1.9mΩ~3.8mΩ

1.2mΩ~1.6mΩ

RDS(on)(@ TJ=175℃)標準

3.35mΩ~6.5mΩ

1.95mΩ~2.6mΩ

対象アプリケーション

メイン・インバータ(電気トラクション)

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ポートフォリオ

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第3世代SiC MOSFETをベースにしたACEPACK DRIVE:トラクション・インバータ用の小型高性能パワー・モジュール

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ACEPACK DRIVEパワー・モジュールは、最適な効率と性能を保証するSTの第3世代SiC MOSFETをベースにしています。電力密度がきわめて高く、システムのスペース要件を最小限に抑えながら、750V~1200Vの電源範囲で180kW~300kW以上の出力範囲に対応します。

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