EEPROMの画期的なテクノロジーのご紹介

すべての動作モードで幅広い電源電圧範囲とピーク電流制御を提供する高耐性NVMにより、適切なバッテリを自由に選択することが可能になります。

ページEEPROMは、超低消費電力動作と、パッシブ･モード時のディープ･パワーダウン機能により消費電力を削減します。

バッファ･ロード･モードにより、ページEEPROMは、製造工程のデータ初期化段階での素早い書き込みが可能です。

本ソリューションでは、320Mbit/秒のQuad SPI出力によりメモリの内容を高速で読み出すことが可能です。

新しい高速ウェイクアップ機能により、アプリケーションを瞬時に起動します。

本NVMでは、超高速イレーズ機能と512バイトの高速ページ･プログラムにより素早い更新が可能になります。

高いデータ書換え耐性と高速バイト書込みにより、ページEEPROMは、STのEEPROMファミリの機能を拡張し、過酷な環境モニタリングに対応した高容量ストレージを提供します。

エラー･コード訂正により、書換え後もデータを堅牢に保持し、データ整合性を保ちます。

512バイト高速プログラミングにより、本NVMはイベントを非常に効率よく記録します。

本NVMは、動作ステータス･フラグにより素早い状況判断を支援します。

また、柔軟性の高いブロック保護やアンチコラプション･アラートにより、データを強力に保護します。