ホワイトペーパー | STのワイド･バンドギャップ技術のメリット
SiC技術は、回路トポロジを再構築し、エネルギー変換システムの効率を向上させることができる革新的な技術です。そして、GaNもまた将来性のある非常に有望な技術です。
このホワイト･ペーパーでは、SiCとGaNに関する考察に加え、性能とコスト効率の観点から、従来のシリコン･デバイスではなくSiCパワーMOSFETを使用すべきアプリケーションのタイプと要件に関する実際の設計上のメリットや特性を紹介します。
このホワイト･ペーパーの主なトピック：
- ワイド･バンドギャップ半導体の普及に貢献するSiC（炭化ケイ素）の登場
- さまざまなアプリケーションにメリットを提供するSiC MOSFET & GaN HEMT
- プレーナ構造とトレンチ構造の比較： SiC MOSFETの製品ロードマップ
- SiC MOSFETによる設計上のメリット
- GaN HEMTのメリットと将来的な可能性
STはすでに幅広いアプリケーションに向けて、SiC MOSFETおよびダイオードを量産しています。また、パワー・エレクトロニクスにおけるSiCおよびGaNデバイスの大きな可能性を見出し、先端アプリケーションを開発するお客様を強力にサポートします。