電界効果整流ダイオード

リーク電流の温度係数の低減により開発を容易に

STの電界効果整流ダイオード（FERD）は、設計の改善をサポートします。新バージョンでは特性バランスの改善に重点が置かれました。FERDの設計によって、電圧降下を減少させるとともに、リーク電流の温度係数も下げられるようになりました。その結果、熱暴走に対する安全マージンが改善され、ショットキー･バリア･ダイオードの一般的な安全マージンよりも広がっています。
開発者は対象となるアプリケーションと電圧に応じて、順方向電圧降下（V_F）とリーク電流（I_R）の最適なバランスを選べるようになりました。
       - U: 極めて低い順方向電圧降下（V_F）
        - L: 低い順方向電圧降下（V_F）
       - M & SM: 中程度の順方向電圧降下と最適化されたリーク電流（I_R）
       - H & S: 高温下でも小さなリーク電流（低 I_R）

ツールによって、設計者のアプリケーションに最もよく合う電界効果整流ダイオードやショットキー･ダイオードを即座に見つけることができます。オンライン･ショットキー&FERD eToolシミュレータをご利用ください。

FERD30H100 - 100V、30AのデバイスがDPAKパッケージで登場
どのパッケージ･サイズでも、STの高度なFERDテクノロジによって、ショットキー･バリア･デバイスよりも大きな容量と高い効率性が実現可能となっています。最新の60Vデバイスと100Vデバイスは挿入型、PowerFLAT™、D²PAK、DPAKといった面実装型で提供されています。 
より小さく最適化の進んだパッケージにより、さらにコンパクトで電力損失が少なくできるため、ヒート･シンクの寸法が小さい充電器やアダプタ、SMPSの設計が可能となります。FERD30H100のパッケージ･オプションをご確認ください。