シリコン･カーバイド･ダイオード  

厳しい省エネ規制（Energy Star、80Plus、European Efficiency）に適合するために、電源設計では、新しい電力変換回路トポロジや、高電圧シリコン･カーバイド（SiC）ショットキー･ダイオードなどの高効率な電子部品の採用の検討を迫られています。
STのSiCダイオードは、シリコンよりも優れたSiCの物理特性を利用して、4倍優れた動的特性と、15%低い順電圧降下VFを実現しています。

大規模なサーバ機器や電気通信機器の電源のようにハード･スイッチングを伴うアプリケーションで、SiCショットキー･ダイオードは大幅な電力損失の低減が得られることから、広く使用されています。また、太陽光発電用インバータ、モータ駆動、無停電電源（UPS）、電気自動車（EV）などのアプリケーションでも採用が増えています。

STは現在、1素子入りと2素子入りを含む600～1200V定格の幅広いラインアップのSiCダイオードを提供しています。これらの製品はDPAKからTO-247までの絶縁型TO-220AB/ACも含む、さまざまなパッケージで用意されており、高効率、堅牢性、および設計期間の短縮とコストの削減を追及する設計者に高い柔軟性を提供します。

Performance comparison curve between 600 V Si, Ultrafast tandem and Si diodes

SiC diodes – compact surface-mount PowerFLAT™ 8x8 HV packages

To help engineers design denser, more efficient power conversion stages, ST's compact surface-mount PowerFLAT™ 8x8 HV devices feature excellent thermal performance. Moreover, ST took a few extra steps to propose a 4 to 8 A range (STPSC4H065DLF, STPSC6H065DLF and STPSC8H065DLF) with super-power density.

  • Package less than 1 mm thick
  • Forward voltage (VF) improved by 200 mV
  • High-voltage creepage: 2.75 mm
  • Designed and built for high inrush current (IFSM)

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