シリコン･カーバイド･ダイオード  

厳しい省エネ規制（Energy Star、80Plus、European Efficiency）に適合するために、電源設計では、新しい電力変換回路トポロジや、高電圧シリコン･カーバイド（SiC）ショットキー･ダイオードなどの高効率な電子部品の採用の検討を迫られています。
STのSiCダイオードは、シリコンよりも優れたSiCの物理特性を利用して、4倍優れた動的特性と、15%低い順電圧降下VFを実現しています。

大規模なサーバ機器や電気通信機器の電源のようにハード･スイッチングを伴うアプリケーションで、SiCショットキー･ダイオードは大幅な電力損失の低減が得られることから、広く使用されています。また、太陽光発電用インバータ、モータ駆動、無停電電源（UPS）、電気自動車（EV）などのアプリケーションでも採用が増えています。

STは現在、1素子入りと2素子入りを含む600～1200V定格の幅広いラインアップのSiCダイオードを提供しています。これらの製品はDPAKからTO-247までの絶縁型TO-220AB/ACも含む、さまざまなパッケージで用意されており、高効率、堅牢性、および設計期間の短縮とコストの削減を追及する設計者に高い柔軟性を提供します。

Performance comparison curve between 600 V Si, Ultrafast tandem and Si diodes

SiC diodes – now in TO-220AB/AC Insulated packages

Seven SiC diodes are now available in the TO-220AB Ins and TO-220AC Ins insulated packages with internal insulation between the silicon and the metal tab of the package. These packages provide a thermal resistance junction to heatsink (Rth(j-hs)) equivalent to or better than using external insulating foils while eliminating the fiddly, time consuming and error prone process of mounting the external insulation foil with heatsink compound between the package and the heatsink. They provide approximately 50% lower Rth(j-hs) compared to the TO-220FP package and one customer estimated that they saved approximately 20 seconds per diode in assembly time in the manufacture of their SMPS which yielded a 1% increase in units per hour on their manufacturing line.

Four 650V single diodes from 4 A to 10 A (STPSCxxH065DI) are available in the TO-220AC Ins package and three 650V dual in-series diodes from 6 A to 10 A (STPSCxxTH13TI) are available in the TO-220AB Ins package.

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