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STのシリコン・カーバイド(SiC)ダイオードは、今日の厳しい省エネ規制(Energy Star、80Plus、European Efficiency)に適合しているうえ、標準的なシリコン・ダイオードと比べて15%低い順電圧降下(VF)で4倍優れた動的特性を実現しています。

太陽光発電用インバータやモータ駆動機器、無停電電源、電気自動車用回路の効率と堅牢性は、シリコン・カーバイド(SiC)の利用によって大幅に改善されます。

STは600V~1200V定格でダイオード1素子入りおよび2素子入りの構成を、DPAKからTO-247までのさまざまなパッケージ・サイズで提供しています。パッケージには、セラミックで絶縁されているTO-220や、高電圧(HV)に対応する面実装型(SMD)パッケージの新しい標準である薄型で小型のPowerFLAT 8x8も用意しています。

  

推奨製品

SiC diodes – compact surface-mount PowerFLAT™ 8x8 HV packages

To help engineers design denser, more efficient power conversion stages, ST's compact surface-mount PowerFLAT™ 8x8 HV devices feature excellent thermal performance. Moreover, ST took a few extra steps to propose a 4 to 8 A range (STPSC4H065DLF, STPSC6H065DLF and STPSC8H065DLF) with super-power density.

  • Package less than 1 mm thick
  • Forward voltage (VF) improved by 200 mV
  • High-voltage creepage: 2.75 mm
  • Designed and built for high inrush current (IFSM)
  • Rth thermal resistance as low as 1.7°C/W

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