650V IGBT Mシリーズは、ハードスイッチング回路トポロジにおいて2kHz～20kHzの範囲で動作するアプリケーション向けに設計され、導通損失とスイッチオフ損失のバランスが最適化されています。IGBTはSTPOWERファミリの製品です。
起動時温度150˚C（Tᴊ）における最小短絡保証時間が6µs、最高動作温度が175˚C（Tᴊ）で安全動作領域（SOA）が広いため、電力損失の大きなアプリケーションの寿命を延長し、信頼性向上に貢献します。
4A～120Aの定格電流を備え、低順電圧降下と高度のソフト・リカバリを保ちつつ、高速リカバリ向けに最適化されたフリーホイール･ダイオードを含むさまざまなパッケージで提供されます。
主な特徴
- 最大20kHzのアプリケーション向け低損失IGBT
- 650Vのブレークダウン電圧、6µsの最小短絡定格時間（起動時 TJ150˚Cの場合）、および175˚Cの最高動作温度（TJ）による高い堅牢性と信頼性
- 低熱抵抗の薄型IGBTダイ
- 正温度係数を持つVCE(sat)および狭いパラメータ分布による設計の簡略化および容易な並列化
- ファストリカバリ向けに最適化されたダイオード（高度のソフト・リカバリ、低EMI、低ターンオン損失）
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率のカスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションの設計をサポートします。
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