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PowerFLAT 5 x 6パッケージに収容された、ブレークダウン電圧範囲が12V ~ 30VであるSTのSTripFET MOSFETは、極めて低いゲート電荷と最小1.1mΩ(30V)の低いオン抵抗を提供しています。これらは、PoL、VRM、マザーボード、ノートPC、携帯型および超携帯型家電製品、リニア・レギュレータ、同期整流、および車載アプリケーションに対する広範な要件を満たすように最適化されています。この電圧定格のMOSFETの特徴は、以下のとおりです。

  • 極めて低いRDS(on)によるアプリケーション効率の向上
  • コンパクト設計用のSMD PowerFLATパッケージやハイパワー設計用のH2PAKパッケージなど、さまざまなパッケージの範囲
  • 設計の柔軟性を増す、標準、ロジック、スーパー・ロジックの閾値電圧

これらのMOSFETは、小型およびハイパワー・パッケージ(DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220、およびPowerFLAT(2 x 2、3.3 x 3.3、5 x 6、5 x 6ダブル・アイランド、5 x 6共通ドレイン)で提供されます。

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