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STのSTripFET MOSFETは、ブレークダウン電圧33V ~ 350Vで低いゲート電荷と低いオン抵抗(1.1mΩ@40V)を提供し、PowerFLAT 5 x 6パッケージで提供されます。これらは、同期整流、UPS、モータ制御、SMPS、パワー・オーバー・イーサネット(PoE)、インバータ、および車載アプリケーションの広範な要件を満たすように設計されています。
これらのMOSFETは、さまざまな小型およびハイパワー・パッケージ(DPAK、D2PAK、ISOTOP、Max247、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、PowerFLAT 5 x 6および3.3 x 3.3)で提供されます。

推奨製品

AEC-Q101-qualified 100 V STripFET™ F7 MOSFETs

ST’s high performance series of STripFET F7 MOSFETs has been extended with the introduction of 100 V automotive-grade devices featuring the industry’s lowest on-state resistance (2.3 mOhm in H2PAK 2 and 6 leads, 2.7 mOhm in the TO-220AB) for increased system efficiency. Addressing DC-DC, DC-AC, resonant LC converters and synchronous rectification in high-performance, high-current automotive applications, these AEC-Q101-qualified MOSFETs also feature an optimized internal capacitance profile which eliminates the need for external filtering circuitry, reducing the overall design cost and size.