NチャネルMOSFET（20V～30V）

PowerFLAT 5 x 6パッケージに収納されたブレークダウン電圧範囲が12V～30VであるSTのSTripFET低電圧MOSFETは、極めて低いゲート電荷と最小1.1mΩ（30V）の低いオン抵抗を提供しています。これらは、PoL、VRM、マザーボード、ノートPC、携帯型および超携帯型家電製品、リニア･レギュレータ、同期整流、および車載アプリケーションに対する広範な要件を満たすように最適化されています。

この電圧定格での主な特徴は、以下のとおりです。

• 極めて低いR_DS（on）によるアプリケーション効率の向上
• コンパクト設計用のSMD PowerFLATパッケージやハイパワー設計用のH2PAKパッケージなど、さまざまなパッケージ
• 設計の柔軟性を促進させる標準、ロジック、スーパー･ロジックのしきい値電圧

これらの低電圧パワーMOSFETは、小型およびハイパワー･パッケージ（DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220、およびPowerFLAT（2 x 2、3.3 x 3.3、5 x 6、5 x 6ダブル･アイランド、5 x 6共通ドレイン）で提供されます。