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STripFET F7シリーズ

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STの40V~120V低電圧パワーMOSFETSTripFET™ F7シリーズには、高度なトレンチゲート構造が採用されています。これより、オン抵抗値が低下するだけでなく、内部静電容量とゲート電荷が低減され、より高速かつ効率的なスイッチングが実現します。

優れた性能と高いアバランシェ耐性により、通信システムやコンピューティング・システム、太陽光発電システム用インバータ、モータ制御、車載機器などのアプリケーションにおいて、信頼性を向上させつつコスト削減や小型化に貢献します。STripFET™ F7シリーズは、STPOWERファミリの製品です。

特徴

  • きわめて低いRDS(on)
  • システム効率の向上と小型化に貢献する最小のRDS(on) x Qg
  • EMI耐性の最適化されたCrss/Ciss比率
  • 高いアバランシェ耐性

STripFET F7シリーズでは、従来のF4およびF3シリーズに比べ、ダイ面積当たりのオン抵抗がさらに低くなっています。これにより、並列デバイス数を削減し、大電力向けの設計を簡略化することができます。

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで、高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率のカスタマイズされたアプリケーション開発に貢献します。

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