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40V~120VのSTの低電圧パワーMOSFET STripFET™ F7シリーズでは、高度なトレンチゲート構造を採用しています。この構造により、オン抵抗値が低下するだけでなく、内部静電容量とゲート電荷が低減され、より高速で効率的なスイッチングを可能にします。

このMOSFETが持つ優れた性能指数(FoM)と高いアバランシェ耐性は、通信システムやコンピューティング・システム、ソーラー・インバータ、モータ制御、車載機器などのアプリケーションで、信頼性向上を図りながら設計を簡素化し、サイズとコストを低減するうえで効果的です。これらのパワーMOSFETSTPOWER™ファミリに属しています。

特徴と利点

  • 市場で最も低いRDS(on)
  • システム効率の向上とよりコンパクトな設計に適した最小のRDS(on) x Qg
  • EMI耐性の最適化されたCrss/Ciss比率
  • 高いアバランシェ耐性

従来のF4およびF3シリーズに比べ、低電圧パワーMOSFETの新しいSTripFET F7シリーズはダイ面積当たりのオン抵抗がより一層低くなっています。これにより、並列デバイス数が少なくなるため、大電力向けの設計がよりシンプルになります。

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで、高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。


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