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MAX-247パッケージに収容された、ブレークダウン電圧範囲が400V~650VであるSTのMDmesh™スーパー・ジャンクション(SJ)MOSFETは最小15mΩ(650V)の極めて低いオン抵抗(RDS(on))を実現します。このNチャネルSJ MOSFETは、STPOWER™ファミリに属しています。

標準SJ MOSFETシリーズ

  • MDmesh M5: スーパー・ジャンクション・パワーMOSFETの極めて低いRDS(on)により、ハイパワーPFC回路、電源、ソーラー・インバータの電力損失を大幅に低減します。
  • MDmesh M2: スーパー・ジャンクション・パワーMOSFETでは、ソフトスイッチング・トポロジにおけるRDS(on)と静電容量プロファイルの間のトレードオフを最適化します。
  • MDmesh M6: 共振トポロジ向けに最適化されたSTの最新のスーパー・ジャンクション・テクノロジーは、ハイパワー・アプリケーションに適しています。産業用および自動車用市場向けに提供しているシリーズです。

高速ボディ・ダイオードSJ MOSFETシリーズ

  • MDmesh DM2シリーズ: フルブリッジ位相シフト型ZVSトポロジ向けに最適化された高速ダイオード内蔵MOSFETです。よりソフトな転流動作を示すAEC-Q101認定済みの400V、500V、600V、650Vの車載用アプリケーション向けデバイスも取り揃えています。
  • MDmesh DM6: 高速回復スーパー・ジャンクションMOSFETは、RDS(on) *領域が向上し、フルブリッジ位相シフト型ZVSトポロジ向けに最適化されています。よりソフトな転流動作を示すAEC-Q101認定済みの600Vおよび650Vの車載用アプリケーション向けデバイスも取り揃えています。

これらのMDmesh™スーパー・ジャンクション・パワーMOSFETは、小型およびハイパワー(HV)パッケージ(DPAK、IPAK、D2PAK、H2PAK、I2PAK、MAX-247、ISOTOP、SOT-223、SOT223-2L、TO-220、TO-247、TO-247-4、TO-3PF、TO-LL、およびPowerFLAT™ファミリ(3.3 x 3.3mm、5 x 5mm、5 x 6mm HV、8 x 8mm HV))で提供されます。

STPOWER™製品の幅広いポートフォリオは、高い信頼性と安全性を実現する最先端のパッケージングと保護性能を備え、設計者は、カスタマイズした高効率なアプリケーションに適した長期にわたって有効な適切なソリューションを見つけることができます。


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New 650 V MDmesh M2 power MOSFETs

The M2 series of super-junction (SJ) MOSFETs has been extended with the introduction of 650 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. The low on-resistance (down to 0.36Ω in the TO-220 package) combined with low gate charge and input/output capacitances enable highly-efficient adapters, solar micro-inverters and lighting applications.

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