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パワー・トランジスタ Minimize menu

NチャネルMOSFET(350V~700V)

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MAX-247パッケージで提供される、ブレークダウン電圧範囲が400V~650VであるSTのMDmesh™スーパー・ジャンクション(SJ)MOSFETは、最小15mΩ(650V)のきわめて低いオン抵抗(RDS(on))を実現します。NチャネルSJ MOSFETは、STPOWERファミリの製品です。

STPOWER パワーMOSFET標準シリーズ

  • MDmesh M5: きわめて低いRDS(on)を特徴とし、ハイパワーPFC回路や電源、ソーラー・インバータの電力損失を大幅に低減します。
  • MDmesh M2: ソフトスイッチング・トポロジにおけるRDS(on)と静電容量プロファイルの間のトレードオフが最適化されています。
  • MDmesh M6: 共振トポロジ向けに最適化され、ハイパワー・アプリケーションに適しています。産業および車載向けに提供しているシリーズです。

STPOWER パワーMOSFETファストリカバリ・ダイオード・シリーズ

  • MDmesh DM2シリーズ: フルブリッジ位相シフト型ZVSトポロジ向けに最適化されています。よりソフトな転流動作を示すAEC-Q101認定済みの400V、500V、600V、650Vの車載アプリケーション向け製品も取り揃えています。
  • MDmesh DM6: RDS(on) *領域が向上し、フルブリッジ位相シフト型ZVSトポロジ向けに最適化されています。よりソフトな転流動作を示すAEC-Q101認定済みの600Vおよび650Vの車載アプリケーション向け製品も取り揃えています。

MDmesh™スーパー・ジャンクション・パワーMOSFETは、小型およびハイパワー(HV)パッケージ(DPAK、IPAK、D2PAK、H2PAK、I2PAK、MAX-247、ISOTOP、SOT-223、SOT223-2L、TO-220、TO-247、TO-247-4、TO-3PF、TO-LL、およびPowerFLATファミリ(3.3 x 3.3mm、5 x 5mm、5 x 6mm HV、8 x 8mm HV))で提供されます。

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率のカスタマイズされたアプリケーション開発をサポートします。

super junction MOSFET portfolio

New 650 V MDmesh M2 power MOSFETs

The M2 series of super-junction (SJ) MOSFETs has been extended with the introduction of 650 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. The low on-resistance (down to 0.36Ω in the TO-220 package) combined with low gate charge and input/output capacitances enable highly-efficient adapters, solar micro-inverters and lighting applications.