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パワー・トランジスタ Minimize menu

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MDmesh™ DM2シリーズはファストリカバリ・ダイオードを内蔵したST最新のMOSFETで、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジ向けに最適化されています。

400V~650VパワーMOSFETは、きわめて小さなリカバリ電荷と短いリカバリ時間(Qrr / Trr)を特徴とし、従来に比べてRDS(on)が最大で40%低くなっています。堅牢なdV/dt特性(40V/ns)により、交流電源ラインのノイズや高調波等の大きな電圧過渡現象がある場合でも確実に動作します。STのファストリカバリ・ダイオード内蔵MOSFETは、STPOWERファミリに属しています。

主な特徴と利点

 

  • 内蔵ダイオードの逆リカバリ時間(Trr)の改善による効率の向上
  • dV/dt特性の改善による信頼性向上
  • 車載用アプリケーション向けのAEC-Q101認定済み400V / 500V / 600V / 650Vスーパー・ジャンクションMOSFET

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで、高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。


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