CATEGORIES

パワー・トランジスタ メニューを最小化

概要
製品セレクタ
ツール & ソフトウェア
リソース
ソリューション
eDesignSuite
Get Started

MDmesh™ DM2シリーズは高速ボディ・ダイオードを内蔵したST最新のMOSFETで、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジ向けに最適化されています。

これらの400V~650VパワーMOSFETは、非常に小さなリカバリ電荷と時間(Qrr、Trr)を特徴とし、従来世代のものに比べてRDS(on)が最大で40%低くなっています。堅牢なdV/dt特性(40V/ns)のため、交流電源ラインのノイズや高調波等の大きな電圧過渡現象がある場合でも確実に動作します。STの高速ダイオード内蔵のMOSFETは、STPOWER™ファミリに属しています。

主な特徴と利点

  • 内蔵ダイオードの逆回復時間(Trr)の改善による効率の向上
  • dV/dt性能上昇による信頼性向上
  • 車載用アプリケーション向けのAEC-Q101認定済み400V、500V、600Vおよび650Vスーパー・ジャンクションMOSFET

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者は、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。


推奨コンテンツ

サポート & フィードバック