ブレークダウン電圧が950V～1050VのMDmesh™ DK5シリーズは、ST初の超高耐圧ファストリカバリ･ダイオード内蔵Nチャネル･パワーMOSFETです。きわめて低いゲート電荷（45nC）およびきわめて短いリカバリ時間（trr、Typ.: 250ns）により、産業用溶接機やプラズマ発生器、高周波数誘導溶融 / 加熱、X線装置などの高出力アプリケーション向けのZVS LLC共振コンバータに最適です。STのパワーMOSFETはSTPOWERファミリの製品です。
0.12Ω（VGS = 10V, ID = 23A）というきわめて低いオン抵抗（RDS(on)）と優れた耐久性により、ハードスイッチング･トポロジにも適しています。
MDmesh DK5シリーズは、ロング･リードTO-247およびISOTOPパッケージなどの幅広いスルーホールおよびSMDパワー･パッケージで提供されます。
主な特徴
- 高速ダイオード内蔵MOSFETの中で業界最高クラスのQg（45 nC）を実現
- 超高耐圧ファストリカバリ･ダイオード内蔵MOSFETの中で最小クラスの逆リカバリ時間（250ns typ.）を実現
- きわめて低いRDS(on)（Max247およびISOTOPパッケージで0.12 Ω）
- きわめて良好なCoss/Cissプロファイル
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率のカスタマイズされたアプリケーション開発に貢献します。
注目ビデオ
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
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