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パワー・トランジスタ Minimize menu

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STの650V~1700Vのシリコン・カーバイド(SiC)MOSFETは、ワイド・バンドギャップ材料の先進的かつ革新的な特性により、極めて低い単位面積あたりのオン抵抗(RDS(on))と、優れたスイッチング性能を備えています。より高効率かつ小型のシステムを実現します。SiC MOSFETはSTPOWER™ファミリの製品です。

SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも単位面積あたりのオン抵抗が低く、クラス最高レベルのIGBTよりも優れたスイッチング性能を動作温度範囲全域で実現します。これにより、パワー・エレクトロニクス・システムの熱設計を簡略化できます。

STのSiC MOSFETは、主に以下の特徴を持ちます。

  • 極めて高い耐熱性(max. T<1>J</1> = 200°C)をもち、プリント基板の小型化(冷却システムの小型化)、およびさらなるシステムの信頼性を実現
  • スイッチング損失の大幅な削減(温度による変動の最小化)、および小型の受動部品の採用による小型化
  • 低いオン抵抗(650Vデバイス: typ.: 20mΩ@ 25℃ / 1200Vデバイス: typ.: 80mΩ@ 25℃)による冷却要件の緩和、およびそれに伴うシステム効率の向上
  • 簡単な駆動(コスト効率に優れたネットワーク駆動)
  • 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ・ダイオード(外付けのフリーホイール・ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能)

STの製品ポートフォリオには、トラクション・インバータ、オンボード・チャージャおよび高速充電器、DC-DCコンバータ、SMPS / ハイエンドPFC、補助電源、UPS / 太陽光発電 / 溶接機器といった産業および車載用アプリケーション向けの、幅広い動作電圧の製品が含まれています。

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションの設計をサポートします。


650 V, 90 A, 18 mΩ silicon-carbide power MOSFET in H2PAK SMD and HiP247 packages

ST has extended its offering of SiC MOSFETs with the introduction of a 650 V, 90 A power MOSFET in high-performance H2PAK SMD and HiP247 packages offering a very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C).

The SCTH90N65G2V-7 and SCTW90N65G2V can manage high breakdown voltages with extremely low gate charge and input capacitances with remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET

ST has extended its portfolio of SiC MOSFETs with the introduction of the 22 mΩ typ (at 150 °C), 650 V SCTW100N65G2AG which increases the electrical efficiency of EVs and hybrid vehicles. When used in the EV/HEV main inverter, it increases the efficiency by up to 3% compared with an equivalent IGBT solution, translating into longer battery life and a lighter power unit. ST’s SiC MOSFETs also feature the industry’s highest junction-temperature rating of 200°C and show a very small variation of the on-state resistance even at high temperatures. This leads to higher system efficiency, which reduces cooling requirements and PCB form factors simplifying thermal management.
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will soon complete the qualification to AEC-Q101.