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STの650Vおよび1200Vのシリコン・カーバイド(SiC)MOSFETは、ワイド・バンドギャップ材料の先進的かつ革新的な特性によって、極めて低い単位面積あたりのオン抵抗(RDS(on))と優れたスイッチング性能を備えており、より効率が高く、小型のシステムを実現します。SiC MOSFETはSTPOWER™ファミリの製品です。

SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも単位面積あたりのオン抵抗が低く、クラス最高のIGBTよりも優れたスイッチング性能を温度範囲全域で発揮します。またこれによって、パワー電子システムの熱設計を簡素化できます。

STのSiC MOSFETは、主に以下のような特徴と利点を持ちます。

  • 極めて高い耐熱性(max. TJ = 200°C)をもち、PCBのフォーム・ファクタを縮小する(熱管理の簡素化)と同時に、さらなるシステムの信頼性を実現
  • スイッチング損失の大幅な削減(温度による変動の最小化)、および、より小型の受動部品を用いたデザインの小型化
  • 低いオン抵抗(650Vデバイス: 20mΩ(typ) @ 25℃、1200Vデバイス: 80mΩ(typ) @ 25℃)による冷却要件の緩和、およびそれに伴うシステム効率の向上
  • 簡単な駆動(コスト効率に優れたネットワーク駆動)
  • 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ・ダイオード(外付けのフリーホイール・ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能)

STのポートフォリオには、トラクション・インバータ、オンボード充電器および高速充電器、DC-DCコンバータ、SMPS/ハイエンドPFC、補助電源、UPS/太陽光発電/溶接装置などの産業用および自動車用アプリケーションに向けた、幅広い動作電圧の製品が含まれています。

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。


650 V, 90 A, 18 mΩ silicon-carbide power MOSFET in H2PAK SMD and HiP247 packages

ST has extended its offering of SiC MOSFETs with the introduction of a 650 V, 90 A power MOSFET in high-performance H2PAK SMD and HiP247 packages offering a very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C).

The SCTH90N65G2V-7 and SCTW90N65G2V can manage high breakdown voltages with extremely low gate charge and input capacitances with remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET

ST has extended its portfolio of SiC MOSFETs with the introduction of the 22 mΩ typ (at 150 °C), 650 V SCTW100N65G2AG which increases the electrical efficiency of EVs and hybrid vehicles. When used in the EV/HEV main inverter, it increases the efficiency by up to 3% compared with an equivalent IGBT solution, translating into longer battery life and a lighter power unit. ST’s SiC MOSFETs also feature the industry’s highest junction-temperature rating of 200°C and show a very small variation of the on-state resistance even at high temperatures. This leads to higher system efficiency, which reduces cooling requirements and PCB form factors simplifying thermal management.
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will soon complete the qualification to AEC-Q101.

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