SiC MOSFET

STの650Vおよび1200Vのシリコン･カーバイド（SiC）MOSFETは、ワイド･バンドギャップ材料の先進的かつ革新的な特性によって、極めて低い単位面積あたりのオン抵抗（R_DS(on)）と優れたスイッチング性能を備えており、より効率が高く、小型のシステムを実現します。SiC MOSFETはSTPOWER™ファミリの製品です。

SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも単位面積あたりのオン抵抗が低く、クラス最高のIGBTよりも優れたスイッチング性能を温度範囲全域で発揮します。またこれによって、パワー電子システムの熱設計を簡素化できます。

STのSiC MOSFETは、主に以下のような特徴と利点を持ちます。

• 極めて高い耐熱性（max. T_J = 200°C）をもち、PCBのフォーム･ファクタを縮小する（熱管理の簡素化）と同時に、さらなるシステムの信頼性を実現
• スイッチング損失の大幅な削減（温度による変動の最小化）、および、より小型の受動部品を用いたデザインの小型化
• 低いオン抵抗（650Vデバイス: 20mΩ（typ） @ 25℃、1200Vデバイス: 80mΩ（typ） @ 25℃）による冷却要件の緩和、およびそれに伴うシステム効率の向上
• 簡単な駆動（コスト効率に優れたネットワーク駆動）
• 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ･ダイオード（外付けのフリーホイール･ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能）

STのポートフォリオには、トラクション･インバータ、オンボード充電器および高速充電器、DC-DCコンバータ、SMPS/ハイエンドPFC、補助電源、UPS/太陽光発電/溶接装置などの産業用および自動車用アプリケーションに向けた、幅広い動作電圧の製品が含まれています。

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。