SiC MOSFET

STの650V～1700Vのシリコン･カーバイド（SiC）MOSFETは、ワイド･バンドギャップ材料の先進的かつ革新的な特性により、極めて低い単位面積あたりのオン抵抗（R_DS(on)）と、優れたスイッチング性能を備えています。より高効率かつ小型のシステムを実現します。SiC MOSFETはSTPOWER™ファミリの製品です。

SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも単位面積あたりのオン抵抗が低く、クラス最高レベルのIGBTよりも優れたスイッチング性能を動作温度範囲全域で実現します。これにより、パワー･エレクトロニクス･システムの熱設計を簡略化できます。

STのSiC MOSFETは、主に以下の特徴を持ちます。

• 極めて高い耐熱性（max. T<1>J</1> = 200°C）をもち、プリント基板の小型化（冷却システムの小型化）、およびさらなるシステムの信頼性を実現
• スイッチング損失の大幅な削減（温度による変動の最小化）、および小型の受動部品の採用による小型化
• 低いオン抵抗（650Vデバイス: typ.: 20mΩ@ 25℃ / 1200Vデバイス: typ.: 80mΩ@ 25℃）による冷却要件の緩和、およびそれに伴うシステム効率の向上
• 簡単な駆動（コスト効率に優れたネットワーク駆動）
• 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ･ダイオード（外付けのフリーホイール･ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能）

STの製品ポートフォリオには、トラクション･インバータ、オンボード･チャージャおよび高速充電器、DC-DCコンバータ、SMPS / ハイエンドPFC、補助電源、UPS / 太陽光発電 / 溶接機器といった産業および車載用アプリケーション向けの、幅広い動作電圧の製品が含まれています。

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションの設計をサポートします。