STの650Vおよび1700Vのシリコン･カーバイド（SiC）MOSFETは、ワイド･バンドギャップ材料の先進的かつ革新的な特性によって、極めて低い単位面積あたりのオン抵抗（RDS(on)）と優れたスイッチング性能を備えており、より効率が高く、小型のシステムを実現します。SiC MOSFETはSTPOWER™ファミリの製品です。
SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも単位面積あたりのオン抵抗が低く、クラス最高のIGBTよりも優れたスイッチング性能を温度範囲全域で発揮します。またこれによって、パワー電子システムの熱設計を簡素化できます。
STのSiC MOSFETは、主に以下のような特徴と利点を持ちます。
- 極めて高い耐熱性（max. TJ = 200°C）をもち、PCBのフォーム･ファクタを縮小する（熱管理の簡素化）と同時に、さらなるシステムの信頼性を実現
- スイッチング損失の大幅な削減（温度による変動の最小化）、および、より小型の受動部品を用いたデザインの小型化
- 低いオン抵抗（650Vデバイス: 20mΩ（typ） @ 25℃、1200Vデバイス: 80mΩ（typ） @ 25℃）による冷却要件の緩和、およびそれに伴うシステム効率の向上
- 簡単な駆動（コスト効率に優れたネットワーク駆動）
- 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ･ダイオード（外付けのフリーホイール･ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能）
STのポートフォリオには、トラクション･インバータ、オンボード充電器および高速充電器、DC-DCコンバータ、SMPS/ハイエンドPFC、補助電源、UPS/太陽光発電/溶接装置などの産業用および自動車用アプリケーションに向けた、幅広い動作電圧の製品が含まれています。
STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。
ビデオ
650 V, 90 A, 18 mΩ silicon-carbide power MOSFET in H2PAK SMD and HiP247 packages
ST has extended its offering of SiC MOSFETs with the introduction of a 650 V, 90 A power MOSFET in high-performance H2PAK SMD and HiP247 packages offering a very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C).
The SCTH90N65G2V-7 and SCTW90N65G2V can manage high breakdown voltages with extremely low gate charge and input capacitances with remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will soon complete the qualification to AEC-Q101.
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SCTW90N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCTW35N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCTH90N65G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
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SCTWA10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCTWA20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCTWA50N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCT30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCTW40N120G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCT10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCT50N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCTH40N120G2V7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCTH100N65G2-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 95 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCT20N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
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SCTWA30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCTW100N65G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCT10N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCTH35N65G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCTH35N65G2V-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCT20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
