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STの650Vおよび1200Vのシリコン・カーバイド(SiC)MOSFETは、ワイド・バンドギャップ材料の先進的かつ革新的な特性によって、極めて低い単位面積あたりのオン抵抗(RDS(on))と優れたスイッチング性能を備えており、より効率が高く、小型のシステムを実現します。SiC MOSFETはSTPOWER™ファミリの製品です。

SiC MOSFETは、シリコンMOSFETに比べて高温でも単位面積あたりのオン抵抗が低く、クラス最高のIGBTよりも優れたスイッチング性能を温度範囲全域で発揮します。またこれによって、パワー電子システムの熱設計を簡素化できます。

STのSiC MOSFETは、主に以下のような特徴と利点を持ちます。

  • 極めて高い耐熱性(max. TJ = 200°C)をもち、PCBのフォーム・ファクタを縮小する(熱管理の簡素化)と同時に、さらなるシステムの信頼性を実現
  • スイッチング損失の大幅な削減(温度による変動の最小化)、および、より小型の受動部品を用いたデザインの小型化
  • 低いオン抵抗(650Vデバイス: 20mΩ(typ) @ 25℃、1200Vデバイス: 80mΩ(typ) @ 25℃)による冷却要件の緩和、およびそれに伴うシステム効率の向上
  • 簡単な駆動(コスト効率に優れたネットワーク駆動)
  • 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ・ダイオード(外付けのフリーホイール・ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能)



650 V, 90 A, 18 mΩ silicon-carbide power MOSFET in H2PAK SMD and HiP247 packages

ST has extended its offering of SiC MOSFETs with the introduction of a 650 V, 90 A power MOSFET in high-performance H2PAK SMD and HiP247 packages offering a very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C).

The SCTH90N65G2V-7 and SCTW90N65G2V can manage high breakdown voltages with extremely low gate charge and input capacitances with remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET

ST has extended its portfolio of SiC MOSFETs with the introduction of the 22 mΩ typ (at 150 °C), 650 V SCTW100N65G2AG which increases the electrical efficiency of EVs and hybrid vehicles. When used in the EV/HEV main inverter, it increases the efficiency by up to 3% compared with an equivalent IGBT solution, translating into longer battery life and a lighter power unit. ST’s SiC MOSFETs also feature the industry’s highest junction-temperature rating of 200°C and show a very small variation of the on-state resistance even at high temperatures. This leads to higher system efficiency, which reduces cooling requirements and PCB form factors simplifying thermal management.
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will soon complete the qualification to AEC-Q101.


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