Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    Key Features

    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11832
      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
      5.0
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      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

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      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
      1.1
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      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
      6.39 MB
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      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
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      AN4671

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      2.34 MB
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      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      SCTW90N65G2V PSpice model 1.0
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
SCTW90N65G2V
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HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCTW90N65G2V

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