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パワー・トランジスタ Minimize menu

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システムの小型・高効率化に貢献するSTPOWER SiC MOSFET

STPOWER SiC(シリコン・カーバイド)MOSFETは、革新的なワイド・バンドギャップ(WBG)半導体のメリットを提供します。650V~1700Vの広い電圧範囲を備えたSTのSiC MOSFETは、面積抵抗がきわめて低く、優れたスイッチング性能を特徴とした最先端のテクノロジー・プラットフォームの1つです。

STPOWER SiC MOSFETの特徴

  • 車載グレード(AG)対応
  • きわめて優れた温度特性(max.TJ = 200°C)
  • きわめて高いスイッチング周波数での動作ときわめて低いスイッチング損失
  • 温度範囲全体にわたる低いオン抵抗
  • 既存のICと互換性のあるゲート・ドライバ
  • 実績のある高速かつ堅牢なボディ・ダイオード

STPOWER SiC MOSFETの製品ポートフォリオには、車載用および産業用アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計された最先端のパッケージ・オプション(HiP247、H2PAK-7、TO-247ロング・リード、STPAK、およびHU3PAK)が含まれています。