SCTWA40N120G2V-4

量産中

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Source sensing pin for increased efficiency

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STMicroelectronics - SCTWA40N120G2V-4

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Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTWA40N120G2V-4
量産中
HiP247-4 インダストリアル Ecopack2

SCTWA40N120G2V-4

Package:

HiP247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HiP247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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EAR99 NEC Tube HiP247-4 - - CHINA 11.8 / 100

SCTWA40N120G2V-4

製品ステータス

量産中

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RS COMPONENTS EUROPE 145 1 発注する

販売代理店在庫データ: 2021-09-13

販売代理店

RS COMPONENTS

在庫

145

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

販売代理店在庫データ: 2021-09-13

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HiP247-4

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

11.8 / 100

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。